設備配置 | 1C1D、2C、2D |
襯底材質 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等 |
線寬 | ≥0.35um |
適用工藝 | G-line、i-line、PI |
應用領域 | MEMS、功率器件、射頻集成、光通訊、科研等 |
技術特征 | ?設備結構緊湊、占地面積小(面寬僅1.1m) ; ?功能齊全,具備EBR、BSR、RRC、膠嘴自動保濕清洗等功能,可選配更換便捷的針管式膠嘴; ?可做兩種尺寸完全兼容,不需要更換零件; ?可選配光刻膠顯影液溫控, HMDS等單元部件。 |
設備尺寸 | 1180*1450*2040mm(W*D*H) |