設(shè)備配置 | 2-4 chamber(option: COT、DEV) |
設(shè)備產(chǎn)能 | 20WPH |
襯底材質(zhì) | Si、Glass等 |
適用工藝 | 深孔噴膠TSV、高深寬比臺(tái)階噴膠. |
工藝指標(biāo) | 平面均勻性≤5%@5-10um;臺(tái)階覆蓋率≥30% |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 先進(jìn)封裝、MEMS、科研等 |
技術(shù)特征 | ?適用于表面刻有深孔的高表面形貌圓形或方形基片的噴涂工藝要求,超聲波霧化光刻膠膠粒,可均勻覆蓋臺(tái)階表面,邊緣,側(cè)壁,底部; ?噴嘴配有自動(dòng)清洗功能; ?設(shè)備可配置勻膠腔體和顯影腔體。 |
設(shè)備尺寸 | 2665*1724*2432mm(W*D*H) |