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單片濕法刻蝕機AEHETCH
| 設(shè)備配置 | 2-4 chamber |
| 設(shè)備產(chǎn)能 | 60WPH（Gu Ti刻蝕） |
| 襯底材質(zhì) | Si、SiC、Glass、GaAs、InP |
| 適用工藝 | 氧化硅/氮化硅刻蝕（SiOx/SiNx etch）、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化銦錫/氧化銦鎵鋅（ITO/IGZO）等 |
| 工藝指標 | 介質(zhì)刻蝕均勻性＜5%、金屬刻蝕均勻性＜5%、顆?？刂疲?le;20ea@0.16um） |
| 金屬離子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm2 ；others: 1E10 atms/cm2） | |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | IC、功率器件、射頻集成、半導(dǎo)體光學(xué)、光通訊、科研 |
| 技術(shù)特征 | ?機臺可實現(xiàn)多尺寸兼容； ?工藝腔體經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計，提供優(yōu)秀的潔凈度控制； ?可適用多種藥液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ，HF，HNO3，H3PO4等，最多可實現(xiàn)4種藥液的循環(huán)回收使用； ?可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝。 |
| 設(shè)備尺寸 | 2560*2513*2500（W*D*H） |